1. ပင်မစာမျက်နှာ
  2. ကုန်ပစ္စည်း
  3. စွမ်းအားမြင့် RF Transistors များ

စွမ်းအားမြင့် RF Transistors များ

စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာသည် ပုံမှန်အားဖြင့် 1 ဝပ်အထက် မြင့်မားသောအထွက်ပါဝါအဆင့်များကို ကိုင်တွယ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် RF ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားဖြစ်သည်။ ဤထရန်စစ္စတာများကို အသံလွှင့်ထုတ်လွှတ်ကိရိယာများ၊ ရေဒါစနစ်များနှင့် စက်မှုအပူပေးစနစ်များကဲ့သို့သော မြင့်မားသော RF ပါဝါလိုအပ်သည့် အက်ပ်များတွင် အသုံးပြုသည်။

 
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို အပလီကေးရှင်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုကြသည်။ အသုံးအများဆုံးအသုံးပြုမှုတစ်ခုမှာ အသံလွှင့်ထုတ်လွှင့်ခြင်းများတွင် ထုတ်လွှင့်ခြင်းမပြုမီ ရေဒီယိုအချက်ပြမှုကို ချဲ့ထွင်ရန်အသုံးပြုသည်။ ရေဒါစနစ်များတွင် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို ပတ်ဝန်းကျင်ရှိ အရာဝတ္ထုများကို သိရှိရန် အသုံးပြုသည့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော သယ်ဆောင်သူအချက်ပြမှုကို ထုတ်ပေးရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ စက်မှုအပူပေးစနစ်များတွင် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို ပစ္စည်းများ အပူပေးရန်အတွက် အသုံးပြုသည့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော လျှပ်စစ်သံလိုက်စွမ်းအင်ကို ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုပါသည်။

 

စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာအတွက် ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော တူညီသောအသုံးအနှုန်းအချို့ ပါဝင်နိုင်သည်-

 

  • မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းပါဝါထရန်စစ္စတာ
  • RF ပါဝါအသံချဲ့စက်ထရန်စစ္စတာ
  • စွမ်းအားမြင့် bipolar transistor
  • စွမ်းအားမြင့် MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
  • စွမ်းအားမြင့် GaN (Gallium Nitride) ထရန်စစ္စတာ
  • စွမ်းအားမြင့် LDMOS (Laterally Diffused MOS) ထရန်စစ္စတာ
  • RF ပါဝါကိရိယာ
  • မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းထရန်စစ္စတာ

 

အဝေးကြီးမှ အချက်ပြမှုများကို ထုတ်လွှင့်ခြင်းအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းအချက်ပြမှုများကို ထိရောက်စွာ ချဲ့ထွင်နိုင်စေရန်အတွက် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများ လိုအပ်ပါသည်။ အရည်အသွေးမြင့် ပါဝါ RF ထရန်စစ္စတာသည် ပရော်ဖက်ရှင်နယ် အသံလွှင့်ဌာနအတွက် အရေးကြီးပြီး အရည်အသွေးမြင့်မားပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော ထုတ်လွှင့်မှုကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် အရေးကြီးသည့်အချက်မှာ အချက်ပြရှင်းလင်းပြတ်သားပြီး ပုံပျက်ခြင်းမှကင်းဝေးကြောင်း သေချာစေသောကြောင့် ဖြစ်သည်။ အသံလွှင့်ဌာနများသည် ဝေးဝေးမှ အချက်ပြမှုများကို မကြာခဏ ထုတ်လွှင့်ပေးရလေ့ရှိပြီး မတူညီသော မြေပြင်အနေအထားနှင့် ရာသီဥတုအခြေအနေများသည် အချက်ပြအရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေနိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ မြင့်မားသောပါဝါ RF ထရန်စစ္စတာများသည် အချက်ပြမှုကို ခိုင်ခံ့ပြီး ရှင်းရှင်းလင်းလင်းရှိနေစေရန်အတွက် အရည်အသွေးမြင့်ရပါမည်။ ထို့အပြင်၊ ပရော်ဖက်ရှင်နယ်ရုပ်သံလွှင့်ဌာနများသည် ၎င်းတို့၏အစီအစဉ်များကို အရည်အသွေးအမြင့်ဆုံးဖြစ်ကြောင်း သေချာစေရန်အတွက် အရည်အသွေးထိန်းချုပ်မှုအတွက် မြင့်မားသောစံနှုန်းများရှိသည်။ အရည်အသွေးမြင့် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာသည် ထုတ်လွှင့်သည့် အချက်ပြမှု အရည်အသွေး အမြင့်ဆုံးဖြစ်ကြောင်း သေချာစေရန် ကူညီပေးသောကြောင့် အဆိုပါ မြင့်မားသော စံနှုန်းများကို ထိန်းသိမ်းရာတွင် မရှိမဖြစ် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု ဖြစ်သည်။

 

စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ လုပ်ဆောင်ချက်သည် ပုံမှန် RF ထရန်စစ္စတာနှင့် ဆင်တူသည်။ သို့သော်၊ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများသည် ၎င်းတို့ကိုင်တွယ်ရမည့် မြင့်မားသောလျှပ်စစ်စွမ်းအင်ကို ကိုင်တွယ်ရန်အတွက် မြင့်မားသောအထွက်ပါဝါအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ထားသည်။ ၎င်းကို ပိုကြီးသော semiconductor die၊ ပိုထူသော သတ္တု အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုများနှင့် အပူကို ပြေပျောက်စေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော အထူးထုတ်ပိုးမှုတို့ဖြင့် ပြီးမြောက်သည်။ မြင့်မားသောပါဝါ RF ထရန်စစ္စတာများသည် ပုံမှန် RF ထရန်စစ္စတာများထက် အမြတ်နည်းလေ့ရှိသည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် မြင့်မားသောအမြတ်သည် မြင့်မားသောအထွက်ပါဝါအဆင့်တွင် မတည်မငြိမ်ဖြစ်စေပြီး သူ့ဘာသာသူ တုန်လှုပ်သွားစေနိုင်သည်။

 

စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများသည် အထူးထုတ်ပိုးမှုလိုအပ်ပြီး အထွက်ပါဝါမြင့်မားရန်အတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် ၎င်းတို့သည် ပုံမှန် RF ထရန်စစ္စတာများထက် ပို၍စျေးကြီးပါသည်။ သို့သော်လည်း မြင့်မားသော output power ကို ကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းသည် အရေးကြီးသော အသုံးချမှုများစွာတွင် ၎င်းတို့အတွက် မရှိမဖြစ် အစိတ်အပိုင်းများကို ဖြစ်စေသည်။

RF transistor ဆိုတာ ဘာလဲ ၊ ဘယ်လို အလုပ်လုပ်လဲ ။
RF transistor သို့မဟုတ် radio frequency transistor သည် ပုံမှန်အားဖြင့် 10 MHz မှ GHz အများအပြားအထိ ရေဒီယိုလှိုင်းများ၏ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးတွင် အလုပ်လုပ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤထရန်စစ္စတာများကို ဆီလီကွန် သို့မဟုတ် ဂယ်လီယမ် အာဆင်းနိုက်ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းမှ ထုတ်လုပ်ထားပြီး ကြိမ်နှုန်းမြင့် အချက်ပြချဲ့ထွင်ခြင်းနှင့် ကူးပြောင်းခြင်း လိုအပ်သော အီလက်ထရွန်းနစ်အပလီကေးရှင်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုကြသည်။

RF transistor ၏လုပ်ဆောင်ချက်သည် အခြားသော transistor များနှင့် ဆင်တူသည်။ Base terminal သို့ ဗို့အားကို သက်ရောက်သောအခါ၊ လျှပ်စီးကြောင်းတစ်ခုသည် base-emitter လမ်းဆုံမှတဆင့် စီးဆင်းသွားပြီး၊ ၎င်းသည် collector-emitter လမ်းဆုံမှတဆင့် လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်ပေးသည်။ စုဆောင်း-ထုတ်လွှတ်သည့်လျှပ်စီးသည် base-emitter ဗို့အားဖြင့် ထိန်းချုပ်ထားသည့် base-emitter လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် အချိုးကျပါသည်။ RF ထရန်စစ္စတာတစ်ခုတွင်၊ စုဆောင်း-ထုတ်လွှတ်သည့်လျှပ်စီးကြောင်းသည် ပုံမှန်အားဖြင့် မီလီမီတာအနည်းငယ်မှ အမ်ပီယာအများအပြားအကွာအဝေးတွင်ရှိပြီး အခြေခံ-ထုတ်လွှတ်သည့်လျှပ်စီးကြောင်းသည် ပုံမှန်အားဖြင့် မိုက်ခရိုအမ်ပီအကွာအဝေးတွင်ရှိသည်။ ဤမြင့်မားသောအမြတ်နှင့် သွင်းအားလျှပ်စီးကြောင်းနည်းပါးခြင်းသည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် RF ထရန်စစ္စတာများကို စံပြဖြစ်စေသည်။

RF ထရန်စစ္စတာများကို ရေဒီယိုနှင့် ရုပ်မြင်သံကြားထုတ်လွှင့်ခြင်း၊ မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများ၊ ရေဒါစနစ်များ၊ ဂြိုလ်တုဆက်သွယ်ရေးနှင့် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာပစ္စည်းများ အပါအဝင် ကျယ်ပြန့်သော application များတွင် အသုံးပြုပါသည်။ ၎င်းတို့ကို ကြိမ်နှုန်းမြင့် အသံချဲ့စက်များ၊ oscillator များနှင့် ခလုတ်များအဖြစ် အသုံးများသည်။ အာရုံခံနိုင်စွမ်းနှင့် ဆူညံသံပုံသဏ္ဍာန်သည် အရေးကြီးသောနေရာတွင် RF ထရန်စစ္စတာများကို ဆူညံသံနည်းသော အသံချဲ့စက် ဆားကစ်များတွင်လည်း အသုံးပြုပါသည်။ ထို့အပြင် RF ထရန်စစ္စတာများကို ပါဝါအသံချဲ့စက် ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြုပြီး အမြတ်အစွန်း မြင့်မားပြီး အထွက်ပါဝါ မြင့်မားရန် လိုအပ်ပါသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်၊ အထူးသဖြင့် ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များတွင် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော RF Transistor များဖြစ်သည်။
RF mosfet transistor ဆိုတာ ဘာလဲ ၊ ဘယ်လို အလုပ်လုပ်လဲ ။
metal oxide semiconductor field effect transistor ဟုလည်းသိကြသော RF MOSFET ထရန်စစ္စတာသည် မြင့်မားသောရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းများဖြင့်လည်ပတ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်သည်။ RF MOSFET ထရန်စစ္စတာများကို ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားပြီး ဆူညံသံနည်းပါးခြင်းကြောင့် RF နှင့် မိုက်ခရိုဝေ့ဆားကစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းတို့ကို ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေး၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် အသံချဲ့စက်များနှင့် ရေဒါကဲ့သို့သော အပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးများသည်။

RF MOSFET ထရန်စစ္စတာသည် ရင်းမြစ်၊ ဂိတ်ပေါက်နှင့် မြောင်းပါရှိသော သုံးဂိတ်ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ရင်းမြစ်နှင့် ရေစီးရေလာ terminal များသည် insulating substrate ၏ထိပ်တွင်ဖွဲ့စည်းထားသော conducting material ၏ပါးလွှာသောအလွှာဖြစ်သည့် semiconductor channel ၏အစွန်းနှစ်ဖက်သို့ချိတ်ဆက်ထားသည်။ gate terminal ကို ပါးလွှာသော insulating အလွှာဖြင့် semiconductor channel မှ ပိုင်းခြားထားသည်။ gate terminal တွင် ဗို့အားကို သက်ရောက်သောအခါ၊ ၎င်းသည် source နှင့် drain terminal များကြားရှိ လျှပ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်သည့် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းတစ်ခု ဖြစ်လာသည်။

RF MOSFET ထရန်စစ္စတာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာချန်နယ်မှတဆင့် လျှပ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်ရန် ဗို့အားကိုအသုံးပြု၍ လုပ်ဆောင်သည်။ ထရန်စစ္စတာ၏တံခါးဝသို့ ဗို့အားတစ်ခုသက်ရောက်သောအခါ၊ ၎င်းသည် အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားရှိ လျှပ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှုကို ခွင့်ပြု သို့မဟုတ် ပိတ်ဆို့သည့် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ဖန်တီးပေးသည်။ လက်ရှိထိန်းချုပ်မှုသည် ထရန်စစ္စတာအား ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော အချက်ပြမှုများကို ချဲ့ထွင်ရန် သို့မဟုတ် ကူးပြောင်းနိုင်စေပါသည်။

RF MOSFET ထရန်စစ္စတာများကို ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းနှင့် ဆူညံသံနည်းပါးခြင်းကြောင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် ဆားကစ်များတွင် အသုံးများသည်။ ၎င်းတို့သည် ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော ပါဝါကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းနှင့် လမ်းဆုံစွမ်းရည်နိမ့်ခြင်းကြောင့်လည်း လူသိများသည်။ ၎င်းတို့ကို ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ၊ ပါဝါအသံချဲ့စက်များနှင့် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်မီးဖိုများအပါအဝင် အပလီကေးရှင်းများစွာတွင် အသုံးပြုကြသည်။

အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် RF MOSFET ထရန်စစ္စတာများသည် မြင့်မားသောရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းများဖြင့် လုပ်ဆောင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် gate terminal သို့ သက်ရောက်သည့် ဗို့အားတစ်ခုက ထိန်းချုပ်ထားသည့် လက်ရှိစီးဆင်းမှုအပေါ် အခြေခံ၍ လုပ်ဆောင်သည်။ ၎င်းတို့ကို RF နှင့် မိုက်ခရိုဝေ့ဆားကစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြပြီး ၎င်းတို့၏အဓိကအင်္ဂါရပ်များမှာ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားခြင်း၊ ဆူညံသံနည်းပါးခြင်းနှင့် ပါဝါကိုင်တွယ်ခြင်းစွမ်းရည်မြင့်မားခြင်းတို့ပါဝင်သည်။
RF transistor၊ RF power transistor၊ high power RF transistor၊ RF mosfet transistor ဘယ်လိုကွာခြားလဲ။
ဟုတ်ကဲ့၊ ဤထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားများအကြား ကွဲပြားမှုများရှိပါသည်။

RF transistor သည် ယေဘုယျအားဖြင့် MHz အနည်းငယ်မှ GHz များစွာအထိ ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းများတွင် လည်ပတ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် မည်သည့် transistor ကိုမဆို ရည်ညွှန်းရန် အသုံးပြုသည့် ယေဘုယျအသုံးအနှုန်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ RF ထရန်စစ္စတာများသည် bipolar သို့မဟုတ် field-effect transistors (FETs) ဖြစ်နိုင်ပြီး ပါဝါနိမ့်သော သို့မဟုတ် မြင့်မားသော application များတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

RF ပါဝါထရန်စစ္စတာသည် မြင့်မားသောအထွက်ပါဝါအဆင့်များကို ကိုင်တွယ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် RF ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားဖြစ်ပြီး ပုံမှန်အားဖြင့် ဝပ်မှ ကီလိုဝပ်အကွာအဝေးတွင် အမြတ်အနည်းငယ်သာရှိသည်။ ဤထရန်စစ္စတာများကို ပုံမှန်အားဖြင့် အသံလွှင့်ထုတ်လွှတ်ကိရိယာများ၊ ရေဒါစနစ်များနှင့် စက်မှုအပူပေးစနစ်များကဲ့သို့သော အသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် အသုံးပြုကြသည်။

စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာသည် ပိုမိုမြင့်မားသော အထွက်ပါဝါအဆင့်များကို ကိုင်တွယ်ရန် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသည့် RF ပါဝါထရန်စစ္စတာ၏ အခွဲတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤထရန်စစ္စတာများကို ပိုကြီးသော semiconductor အသေများ၊ ပိုမိုထူထဲသော အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုများနှင့် အထူးပြုထုပ်ပိုးမှုများဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ မြင့်မားသော စွမ်းအင် RF ထရန်စစ္စတာများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပုံမှန် RF ထရန်စစ္စတာများထက် ရရှိမှု နည်းပါးပြီး မြင့်မားသော အမြတ်များသည် မြင့်မားသော အထွက်ပါဝါအဆင့်တွင် မတည်မငြိမ်ဖြစ်စေပြီး သူ့ဘာသာသူ တုန်လှုပ်သွားစေနိုင်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။

RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ (သို့) သတ္တုအောက်ဆိုဒ်-တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ နယ်ပယ်-အကျိုးသက်ရောက်မှု ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစားဖြစ်ပြီး ဂိတ်ဂိတ်တစ်ခုသို့ သက်ရောက်သည့် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းမှ လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်သည့် ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်သည်။ RF MOSFET ထရန်စစ္စတာများကို ပုံမှန်အားဖြင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော အသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် အသုံးပြုကြပြီး ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော input impedance နှင့် ဆူညံသံနည်းပါးခြင်းကြောင့် လူသိများသည်။

အချုပ်အားဖြင့်၊ ဤထရန်စစ္စတာအားလုံးကို ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းများတွင် လည်ပတ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော်လည်း ၎င်းတို့တွင် ပါဝါကိုင်တွယ်နိုင်မှု၊ ထုပ်ပိုးမှု၊ အမြတ်နှင့် အခြားစွမ်းဆောင်ရည်ဆိုင်ရာ လက္ခဏာရပ်များတွင် ကွဲပြားမှုများရှိသည်။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို ဘယ်လိုစမ်းသပ်မလဲ။
မြင့်မားသောပါဝါ RF ထရန်စစ္စတာအား စမ်းသပ်ခြင်းတွင် RF ပါဝါမီတာ၊ ကွန်ရက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာချက်နှင့် ဝန်ဆွဲခြင်းတပ်ဆင်မှုတို့အပါအဝင် အထူးပြုကိရိယာများ လိုအပ်သည်။ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာအား စမ်းသပ်သည့်အခါတွင် လိုက်နာရမည့် အခြေခံအဆင့်များ

1. pinout ကို ဖော်ထုတ်ပါ- ပထမအဆင့်မှာ transistor ၏ pinout ကိုသိရှိပြီး ၎င်းကို test fixtures များနှင့် မှန်ကန်စွာချိတ်ဆက်ထားကြောင်း သေချာစေရန်ဖြစ်သည်။ မှန်ကန်သော pinout ကိုသိရှိနိုင်ရန် သီးခြားထရန်စစ္စတာအတွက် ဒေတာစာရွက် သို့မဟုတ် ကိုးကားချက်လက်စွဲကို တိုင်ပင်ပါ။

2. Transistor ကိုဘက်လိုက်သည်- bias tee သို့မဟုတ် bias circuit မှတဆင့် transistor သို့ DC ဘက်လိုက်ဗို့အားကို အသုံးချပါ။ ထရန်စစ္စတာသည် ၎င်း၏မျဉ်းကြောင်းဒေသတွင် လည်ပတ်နေစေရန်အတွက် ၎င်းသည် အရေးကြီးပါသည်။

3. ထရန်စစ္စတာအား ကွန်ရက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသူနှင့် ချိတ်ဆက်ပါ- ထရန်စစ္စတာအား ကွန်ရက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသူနှင့် ချိတ်ဆက်ရန် RF ပစ္စတင်များ သို့မဟုတ် သင့်လျော်သော RF ကိရိယာများကို အသုံးပြုပါ။ ချိတ်ဆက်မှုများ တင်းကျပ်ပြီး လုံခြုံကြောင်း သေချာပါစေ။

4. S-ဘောင်များကို တိုင်းတာပါ- ထရန်စစ္စတာ၏ S-ဘောင်များကိုတိုင်းတာရန် ကွန်ရက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာကိရိယာကို အသုံးပြုပါ။ ၎င်းသည် transistor ၏ impedance နှင့် ဝိသေသလက္ခဏာများ ရရှိခြင်းဆိုင်ရာ အချက်အလက်များကို ပေးစွမ်းမည်ဖြစ်သည်။

5. ပါဝါထွက်ရှိမှုကို အကဲဖြတ်ပါ- ထရန်စစ္စတာအား RF ပါဝါမီတာနှင့် ချိတ်ဆက်ပြီး အဝင်ပါဝါကို ကွဲပြားသည်နှင့်အမျှ ပါဝါအထွက်ကို တိုင်းတာပါ။ ၎င်းသည် transistor ၏ linear နှင့် non-linear ဝိသေသလက္ခဏာများကိုဆုံးဖြတ်ရန်ကူညီလိမ့်မည်။

6. ဆွဲယူတပ်ဆင်မှုအား တင်ပါ- မတူညီသော output loads များတွင် ထရန်စစ္စတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို အကဲဖြတ်ရန် load pull setup ကိုသုံးပါ။ ၎င်းတွင် ထရန်စစ္စတာမှ ထုတ်လွှတ်နိုင်သော ပါဝါပမာဏကို ထိခိုက်စေသည့် Transistor ၏ output တွင် impedance ကွဲပြားမှု ပါဝင်ပါသည်။

7. မတူညီသော ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြားများအတွက် စမ်းသပ်မှုကို ပြန်လုပ်ပါ- ထရန်စစ္စတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို အပြည့်အဝအကဲဖြတ်ရန် မတူညီသော ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြားများအတွက် စမ်းသပ်မှုများကို ထပ်လုပ်ပါ။

ဤအဆင့်များသည် စွမ်းအားမြင့် RF transistor ကို စမ်းသပ်နည်း၏ အခြေခံခြုံငုံသုံးသပ်ချက်ကို ပေးပါသည်။ သို့သော်၊ အသုံးပြုနေသော တိကျသော ထရန်စစ္စတာနှင့် စမ်းသပ်ကိရိယာများအပေါ် မူတည်၍ လုပ်ငန်းစဉ်သည် ကွဲပြားနိုင်သည်။ တိကျသောစမ်းသပ်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများနှင့် အကြံပြုချက်များအတွက် ထုတ်လုပ်သူ၏ဒေတာစာရွက်နှင့် အသုံးပြုသူလက်စွဲကို တိုင်ပင်ရန် အရေးကြီးပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်းတို့သည် အန္တရာယ်ဖြစ်စေနိုင်သော ဓာတ်ရောင်ခြည်အဆင့်များကို ထုတ်ပေးနိုင်သောကြောင့် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများနှင့် အလုပ်လုပ်ရာတွင် သင့်လျော်သော ဘေးကင်းရေး ကြိုတင်ကာကွယ်မှုများကို အသုံးပြုရန် အရေးကြီးပါသည်။
discrete rf transistor ကို ဘယ်လိုအကောင်အထည်ဖော်မလဲ။
သီးခြား RF ထရန်စစ္စတာကို အကောင်အထည်ဖော်ရာတွင် သင့်လျော်သော ထရန်စစ္စတာကို ရွေးချယ်ခြင်း၊ လိုအပ်သော ဘက်လိုက်မှုနှင့် ကိုက်ညီသော ဆားကစ်ပတ်လမ်းကို ဆုံးဖြတ်ခြင်းနှင့် ဆားကစ်အတွက် အပြင်အဆင်ကို ဒီဇိုင်းရေးဆွဲခြင်းအပါအဝင် အဆင့်များစွာ ပါဝင်သည်။ discrete RF transistor ကို အကောင်အထည် ဖော်ရာတွင် လိုက်နာရမည့် အခြေခံ အဆင့် အချို့ ဖြစ်သည် ။

1. Transistor ကို ရွေးပါ- ပထမအဆင့်မှာ သင့်အပလီကေးရှင်းအတွက် သင့်လျော်သော ထရန်စစ္စတာတစ်ခုကို ရွေးချယ်ရန်ဖြစ်သည်။ ထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည့်အချက်များမှာ ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး၊ ပါဝါလိုအပ်ချက်၊ ရရှိမှု၊ နှင့် ဆူညံမှုလက္ခဏာများ ပါဝင်သည်။ အပလီကေးရှင်းပေါ် မူတည်၍ bipolar junction transistors (BJTs) သို့မဟုတ် field-effect transistors (FETs) တို့ကို ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။

2. ဘက်လိုက်မှု ပတ်လမ်း- Transistor ကို သင်ရွေးချယ်ပြီးသည်နှင့် နောက်တစ်ဆင့်မှာ သင့်လျော်သော biasing circuitry ကို ဆုံးဖြတ်ရန်ဖြစ်သည်။ Biasing circuit ၏ သီးခြားအချက်များသည် သီးသန့် transistor နှင့် application ပေါ်တွင်မူတည်သော်လည်း၊ ပုံမှန်အားဖြင့် transistor သည် DC voltage (BJT) သို့မဟုတ် DC current (for an FET) အတွက် လိုအပ်ပါသည်။ Transistor သည် ၎င်း၏ linear ဒေသတွင် လည်ပတ်နေစေရန် သေချာစေရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။

3. ကိုက်ညီသော ပတ်လမ်း- ထရန်စစ္စတာသည် အများဆုံးပါဝါပမာဏကို load သို့လွှဲပြောင်းပေးနိုင်ကြောင်း သေချာစေရန် ကိုက်ညီသော circuitry သည် အရေးကြီးပါသည်။ Matching circuitry ကို transistor ၏ input နှင့် output impedance ကို အခြား circuit ၏ impedance များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် အသုံးပြုပါသည်။ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော ဆားကစ်များအတွက်၊ inductors၊ capacitors နှင့် transformers များပါရှိသော lumped-element matching networks များကို မကြာခဏအသုံးပြုပါသည်။

4. Layout ဒီဇိုင်း- discrete RF transistor ကို အကောင်အထည်ဖော်ရာတွင် နောက်တစ်ဆင့်မှာ layout ကို ဒီဇိုင်းဆွဲရန်ဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် schematic နှင့်ကိုက်ညီသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ circuit board အပြင်အဆင်ကို ဖန်တီးခြင်း ပါဝင်သည်။ ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော အပြင်အဆင် ဒီဇိုင်းအတွက် အကောင်းဆုံး အလေ့အကျင့်များကို အသုံးပြုရန်နှင့် မြေပြင်တွင် ကွက်လပ်များ ဖန်တီးခြင်းကို ရှောင်ကြဉ်ရန် အရေးကြီးပါသည်။ ထရန်စစ္စတာအား ကိုက်ညီသော circuitry နှင့် နီးစပ်နိုင်သမျှ ကပ်ထားသင့်ပြီး ကပ်ပါးစွမ်းရည်နှင့် လျှပ်ကူးအားကို လျှော့ချရန်အတွက် အပြင်အဆင်ကို ဒီဇိုင်းထုတ်သင့်သည်။

၁၅ ။ ဆားကစ်ကို တပ်ဆင်ပြီးသည်နှင့် ၎င်းကို မှန်ကန်စွာလည်ပတ်ကြောင်း သေချာစေရန် စမ်းသပ်သင့်သည်။ ဆားကစ်၏ကြိမ်နှုန်းတုံ့ပြန်မှု၊ အမြတ်နှင့် ပါဝါအထွက်တို့ကို စမ်းသပ်ရန် အချက်ပြမီးစက်၊ oscilloscope နှင့် spectrum ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုကဲ့သို့သော စမ်းသပ်ကိရိယာကို အသုံးပြုပါ။ ၎င်းသည် ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည့် ပြဿနာများကို ဖော်ထုတ်ပြီး ပြုပြင်နိုင်စေမည်ဖြစ်သည်။

အချုပ်အားဖြင့်၊ discrete RF transistor ကို အကောင်အထည်ဖော်ရာတွင် သင့်လျော်သော ထရန်စစ္စတာတစ်ခုကို ရွေးချယ်ခြင်း၊ ဘက်လိုက်ခြင်းနှင့် ကိုက်ညီသော ဆားကစ်ပတ်လမ်းကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခြင်း၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော အပြင်အဆင်ကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခြင်းနှင့် circuit ကို စမ်းသပ်ခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ထရန်စစ္စတာ၏ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော ဆားကစ်ဒီဇိုင်း၏ အခြေခံသဘောတရားများကို ကောင်းစွာနားလည်ရန် လိုအပ်သည်။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ တည်ဆောက်ပုံများသည် အဘယ်နည်း။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာသည် ယေဘုယျအားဖြင့် မြင့်မားသောပါဝါအဆင့်များကို ကိုင်တွယ်ရန် အချို့သော ပြုပြင်မွမ်းမံမှုများဖြင့် စံ RF ထရန်စစ္စတာနှင့် ဆင်တူသည်။ ဤသည်မှာ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော ဖွဲ့စည်းပုံအချို့ဖြစ်သည်။

1. Bipolar Junction Transistor (BJT): စွမ်းအားမြင့် BJT သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ဆန့်ကျင်ဘက် doping အလွှာနှစ်ခုကြားတွင် ညှပ်ထားသော ပြင်းထန်စွာဆေးကြောထားသော အလွှာတစ်ခုပါရှိသည်။ စုဆောင်းသည့်ဒေသသည် များသောအားဖြင့် စက်၏အကြီးဆုံးဧရိယာဖြစ်ပြီး ပါဝါပိုမိုကိုင်တွယ်ရန် အတတ်နိုင်ဆုံး ကျယ်အောင်ပြုလုပ်ထားသည်။ emitter သည် အများအားဖြင့် အလွန်အမင်း ဆိုးထားသော ဒေသဖြစ်ပြီး အခြေခံသည် ပေါ့ပေါ့ပါးပါး ဆိုးထားသော ဒေသဖြစ်သည်။ စွမ်းအားမြင့် BJT များတွင် emitter ဧရိယာအနှံ့ လျှပ်စီးကြောင်းများ ဖြန့်ဝေရန် emitter လက်ချောင်းများစွာ မကြာခဏ ရှိသည်။

2. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET): စွမ်းအားမြင့် MOSFET တွင် အများအားဖြင့် အပေါ်ဘက်တွင် insulating အလွှာပါသော semiconductor substrate ပါရှိပြီး၊ နောက်တွင် conducting gate electrode ပါဝင်သည်။ အရင်းအမြစ်နှင့် ရေဆင်းဒေသများသည် ဂိတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ တစ်ဖက်တစ်ချက်တွင် ပုံစံချထားသည့် အစွန်းအထင်းများဖြစ်သည်။ စွမ်းအားမြင့် MOSFET များသည် ပါဝါပိုမိုကိုင်တွယ်ရန် N+ အရင်းအမြစ်နှင့် ရေဆင်းဒေသများကြားတွင် ပြင်းထန်စွာဆေးဆိုးထားသော P အလွှာကို မိတ်ဆက်ခြင်းပါ၀င်သော နှစ်ကြိမ်ထပ်ဖြန့် MOSFET (DMOS) ဖွဲ့စည်းပုံကို အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။

3. Gallium Nitride (GaN) ထရန်စစ္စတာ- GaN ထရန်စစ္စတာများသည် စွမ်းအားမြင့် RF အပလီကေးရှင်းများအတွက် လူကြိုက်များလာပါသည်။ စွမ်းအားမြင့် GaN ထရန်စစ္စတာတွင် ပုံမှန်အားဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အလွှာ၏ထိပ်တွင် ပေါက်ရောက်သော ပါးလွှာသော GaN အလွှာတစ်ခုရှိပြီး၊ အပေါ်တွင် သတ္တုတံခါးလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်ခုပါရှိသည်။ အရင်းအမြစ်နှင့် ရေဆင်းဒေသများသည် ဂိတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏တစ်ဖက်တစ်ချက်တွင် ပုံစံချထားသည့် အစွန်းကွက်များဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့သည် Schottky သို့မဟုတ် ohmic အဆက်အသွယ်များ ဖြစ်နိုင်သည်။

အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများသည် စံ RF ထရန်စစ္စတာများနှင့် ဆင်တူသော်လည်း မြင့်မားသောပါဝါအဆင့်များကို ကိုင်တွယ်ရန် ပြုပြင်မွမ်းမံမှုများဖြင့် တည်ဆောက်ထားသည်။ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသည် ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားနှင့် အသုံးပြုသည့်ပစ္စည်းများအပေါ် မူတည်သည်။ Bipolar junction transistors (BJTs)၊ metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) နှင့် gallium nitride (GaN) transistors များကို စွမ်းအားမြင့် RF applications များအတွက် အများအားဖြင့် အသုံးပြုကြပြီး ၎င်းတို့အားလုံးတွင် ၎င်းတို့၏ တည်ဆောက်ပုံနှင့် စွမ်းဆောင်ရည် လက္ခဏာများ ကွဲပြားမှုရှိသည်။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ လုပ်ဆောင်ချက်များသည် အဘယ်နည်း။
ဟုတ်ပါတယ်၊ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာတွေရဲ့ အသုံးချပလီကေးရှင်းအချို့ကတော့ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်ပါတယ်။

1. အသံလွှင့်ရုံများ- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို အဝေးမှရေဒီယိုနှင့် ရုပ်မြင်သံကြားအချက်ပြမှုများကို ထုတ်လွှင့်ရန်အတွက် အသံလွှင့်ဌာနများတွင် အသုံးများသည်။ ၎င်းတို့ကို FM နှင့် AM ထုတ်လွှင့်မှု အချက်ပြမှုများ နှစ်ခုလုံးအတွက် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

2. ရေဒါစနစ်များ- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို လေယာဉ်များ၊ ဒုံးကျည်များ သို့မဟုတ် ရာသီဥတုပုံစံများကဲ့သို့သော လေထုအတွင်းရှိ အရာဝတ္ထုများကို ထောက်လှမ်းရန်အတွက် ရေဒါစနစ်များတွင်လည်း အသုံးပြုပါသည်။ ၎င်းတို့ကို UHF နှင့် VHF ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြားများတွင် အသုံးပြုကြသည်။

3. ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများ- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို MRI စက်များတွင် ကဲ့သို့သော ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ အသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် တစ်ခါတစ်ရံ အသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းတို့သည် ပုံရိပ်ဖော်ရန်အတွက် လိုအပ်သော သံလိုက်စက်ကွင်းများကို ထုတ်လုပ်ရန် ကူညီပေးနိုင်သည်။

4. စက်မှုအသုံးချမှုများ- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို ဂဟေစက်များ၊ ပလာစမာဖြတ်တောက်ခြင်းစက်များနှင့် RF အပူပေးကိရိယာများကဲ့သို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အမျိုးမျိုးတွင်လည်း အသုံးပြုနိုင်သည်။

5. Jamming စက်များ- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးအတွင်း ရေဒီယိုအချက်ပြမှုများကို နှောက်ယှက်ရန်အတွက် အသုံးပြုသည့် jamming စက်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ရန်သူ့ဆက်သွယ်ရေးအချက်ပြမှုများကို ပိတ်ဆို့သည့်နည်းလမ်းအဖြစ် စစ်တပ် သို့မဟုတ် ဥပဒေစိုးမိုးရေးအေဂျင်စီများက အဆိုပါကိရိယာများကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

6. Ham ရေဒီယို- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို အပျော်တမ်းရေဒီယို (ham ရေဒီယို) အပလီကေးရှင်းများတွင်လည်း အထူးသဖြင့် ထုတ်လွှင့်မှုအတွက် ပါဝါအဆင့်အထိ မြင့်မားသော input signal ကို မြှင့်တင်ပေးသော အသံချဲ့စက်များတွင်လည်း အသုံးပြုပါသည်။

ယေဘုယျအားဖြင့်၊ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများ၏ အဓိကအသုံးချမှုများမှာ စက်မှုလုပ်ငန်းနှင့် အသုံးချပရိုဂရမ်အမျိုးမျိုးရှိ ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းအချက်ပြမှုများကို ထုတ်လွှင့်ခြင်းနှင့် ချဲ့ထွင်ခြင်းတွင်ဖြစ်သည်။
အသံလွှင့်ထုတ်လွှင့်ခြင်းများအတွက် အသုံးများသော စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ ဆိုသည်မှာ အဘယ်နည်း။
FM ထုတ်လွှင့်မှုထုတ်လွှင့်ခြင်းများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများစွာရှိသည်။ ဤသည်မှာ ဥပမာအချို့ဖြစ်သည်။

1. NXP BLF188XR- NXP BLF188XR သည် စွမ်းအားမြင့် LDMOS ထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး FM ထုတ်လွှင့်မှုထုတ်လွှင့်ခြင်းများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ၎င်းသည် 1400 watts output power အထိပေးဆောင်ပြီး 5 kW သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော output power အဆင့်ရှိသော transmitter များတွင် အသုံးများသည်။ ဤထရန်စစ္စတာအား NXP Semiconductors မှ 2012 ခုနှစ်တွင် စတင်မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။

2. STMicroelectronics STAC2942- STAC2942 သည် စွမ်းအားမြင့် MOSFET ထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး FM ထုတ်လွှင့်မှုထုတ်လွှင့်ခြင်းများတွင် အသုံးပြုရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ၎င်းသည် 3500 watts အထွက်ပါဝါအထိပေးဆောင်ပြီး 10 kW သို့မဟုတ်ထိုထက်ပိုသောအထွက်ပါဝါအဆင့်ရှိသော transmitter များတွင်အသုံးများသည်။ STMicroelectronics သည် ဤထရန်စစ္စတာကို 2015 ခုနှစ်တွင် မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။

3. Toshiba 2SC2879- Toshiba 2SC2879 သည် FM ထုတ်လွှင့်မှုများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် စွမ်းအားမြင့် bipolar transistor တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် 200 watts အထွက်ပါဝါအထိပေးဆောင်ပြီး 1 kW သို့မဟုတ် ထို့ထက်နည်းသော အထွက်ပါဝါအဆင့်ရှိသော transmitter များတွင် အသုံးများသည်။ ဤထရန်စစ္စတာသည် 1990 ခုနှစ်များတွင် Toshiba မှ ပထမဆုံးထုတ်လုပ်ခဲ့ပြီး ယနေ့ထိ အသုံးပြုနေဆဲဖြစ်သည်။

4. Mitsubishi RD100HHF1- Mitsubishi RD100HHF1 သည် စွမ်းအားမြင့် MOSFET ထရန်စစ္စတာတစ်ခုဖြစ်ပြီး FM ထုတ်လွှင့်မှုထုတ်လွှင့်ခြင်းများတွင် အသုံးပြုရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ၎င်းသည် 100 watts အထွက်ပါဝါအထိပေးဆောင်ပြီး 500 watts သို့မဟုတ်ထိုထက်နည်းသောအထွက်ပါဝါအဆင့်ရှိသော transmitter များတွင်အသုံးများသည်။ ဤထရန်စစ္စတာကို Mitsubishi Electric Corporation မှ 2000 ခုနှစ်အစောပိုင်းတွင် စတင်မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။

5. Freescale MRFE6VP61K25H- Freescale MRFE6VP61K25H သည် စွမ်းအားမြင့် LDMOS ထရန်စစ္စတာတစ်ခုဖြစ်ပြီး FM အသံလွှင့်ထုတ်လွှင့်မှုများတွင် အသုံးပြုရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ၎င်းသည် 1250 watts အထွက်ပါဝါအထိပေးဆောင်ပြီး 5 kW သို့မဟုတ်ထိုထက်ပိုသောအထွက်ပါဝါအဆင့်ရှိသော transmitter များတွင်အသုံးများသည်။ ဤထရန်စစ္စတာအား Freescale Semiconductor (ယခု NXP Semiconductors ၏အစိတ်အပိုင်း) မှ 2011 ခုနှစ်တွင် စတင်မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။

ဤပါဝါမြင့်မားသော RF ထရန်စစ္စတာများကို မည်သူက ဦးစွာထုတ်လုပ်ခဲ့သနည်းဆိုသော် အဆိုပါကုမ္ပဏီများသည် ၎င်းတို့၏ သက်ဆိုင်ရာ transistor များကို လွတ်လပ်စွာ တီထွင်ဖန်တီးခဲ့ကြသည်။ NXP Semiconductors နှင့် Freescale Semiconductor (ယခု NXP Semiconductors ၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း) တို့သည် RF ပါဝါထရန်စစ္စတာ စျေးကွက်တွင် အဓိက ကစားသမားများဖြစ်ကြပြီး Toshiba နှင့် Mitsubishi တို့သည် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို နှစ်ပေါင်းများစွာ ထုတ်လုပ်နေကြပါသည်။

ယေဘုယျအားဖြင့်၊ transistor ရွေးချယ်မှုသည် transmitter ၏ output power level၊ operating frequency၊ gain လိုအပ်ချက်များနှင့် အခြားသော performance specifications များအပါအဝင် အချက်များစွာပေါ်တွင် မူတည်ပါသည်။ ဤထရန်စစ္စတာများရရှိနိုင်မှုသည် တည်နေရာနှင့် စျေးကွက်လိုအပ်ချက်ပေါ်မူတည်၍ ကွဲပြားနိုင်သည်။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစားမည်မျှရှိသနည်း။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစားများစွာရှိပြီး တစ်ခုစီတွင် ၎င်း၏ထူးခြားသောဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။ ဤတွင် အချို့သော အမျိုးအစားများသည် ၎င်းတို့၏ လက္ခဏာများနှင့်အတူ၊

1. Bipolar ထရန်စစ္စတာများ- Bipolar ထရန်စစ္စတာများသည် အားသွင်းသယ်ဆောင်သူများအဖြစ် အီလက်ထရွန်နှင့် အပေါက်များကို အသုံးပြုသည့် ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် ယေဘူယျအားဖြင့် မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် လက်ရှိလုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းရှိသော ပါဝါမြင့်သည့်ကိရိယာများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့ကို FM နှင့် AM ထုတ်လွှင့်ခြင်းကဲ့သို့သော အသံလွှင့်အက်ပ်များတွင် အသုံးများသည်။ Bipolar ထရန်စစ္စတာများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် အခြားပါဝါမြင့်မားသော RF ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားများထက် ထိရောက်မှုနည်းပြီး သိသာထင်ရှားသော အပူကိုထုတ်ပေးနိုင်သည်။

2. MOSFET ထရန်စစ္စတာများ- MOSFET ထရန်စစ္စတာများသည် ထုတ်လွှင့်ခြင်းဆိုင်ရာ အပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးများသော စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစားဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် ကောင်းမွန်သော ထိရောက်မှုနှင့် ဆူညံသံများကို ပေးစွမ်းနိုင်သောကြောင့် ၎င်းတို့ကို FM ထုတ်လွှင့်မှုများအတွက် အသံလွှင့်စက်များတွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်စေကာ၊ ၎င်းတို့ကို အခြားသော အသံလွှင့်စနစ်များတွင်လည်း အသုံးပြုပါသည်။ MOSFET ထရန်စစ္စတာများသည် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းများဖြင့် လည်ပတ်နိုင်ပြီး bipolar transistor များထက် အပူလျော့နည်းသည်။

3. LDMOS ထရန်စစ္စတာများ- LDMOS သည် "Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor" ကို ကိုယ်စားပြုသည်။ LDMOS ထရန်စစ္စတာများကို ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားမှု၊ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်နည်းပါးမှုနှင့် မျဉ်းသားကောင်းမွန်မှုတို့ကြောင့် ခေတ်မီ FM အသံလွှင့်စက်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။ LDMOS ထရန်စစ္စတာများသည် ပါဝါချိန်ခွင်လျှာကောင်းမွန်မှု၊ ထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ကို ပေးစွမ်းပြီး ပါဝါမြင့်မားသောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

4. GaN ထရန်စစ္စတာများ- GaN သည် "Gallium Nitride" ဖြစ်သည်။ GaN ထရန်စစ္စတာများသည် မြင့်မားသော ပါဝါနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော လုပ်ဆောင်ချက်များကိုလည်း လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ၎င်းတို့သည် FM ထုတ်လွှင့်ခြင်းကဲ့သို့သော အသံလွှင့်အက်ပ်လီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်ပြီး ၎င်းတို့၏ ဆူညံသံနည်းပါးခြင်းကြောင့် လူသိများသည်။

ထုတ်လုပ်သူများအနေဖြင့် စွမ်းအားမြင့် RF transistor စျေးကွက်တွင် အကြီးမားဆုံး ကစားသမားအချို့တွင် NXP Semiconductors၊ STMicroelectronics၊ Toshiba နှင့် Mitsubishi Electric Corporation တို့ ပါဝင်သည်။ ဤကုမ္ပဏီများသည် ကျယ်ပြန့်သော စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို ထုတ်လုပ်ကြပြီး တစ်ခုစီတွင် ၎င်း၏ထူးခြားသော ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် အားသာချက်များရှိသည်။

မြင့်မားသောပါဝါ RF ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစားများအကြား ခြားနားချက်များသည် ၎င်းတို့၏ ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး၊ ရုပ်သံလွှင့်လွှမ်းခြုံမှု၊ ပါဝါထွက်ရှိမှု၊ ထိရောက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်တို့အပါအဝင် ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်ဝိသေသလက္ခဏာများတွင် သိသာထင်ရှားပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ LDMOS နှင့် GaN ထရန်စစ္စတာများသည် မကြာခဏ ပိုမိုထိရောက်ပြီး bipolar transistor များထက် အပူထုတ်ပေးနိုင်သော်လည်း ၎င်းတို့သည် ပို၍စျေးကြီးနိုင်ပါသည်။

တပ်ဆင်ခြင်း၊ ပြုပြင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်းများတွင် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများသည် အထူးပြုအသိပညာနှင့် စက်ကိရိယာများ လိုအပ်ပြီး အတွေ့အကြုံရှိ နည်းပညာရှင်များမှ အမြဲကိုင်တွယ်သင့်သည်။ အသံချဲ့စက်သည် တည်ငြိမ်၊ ထိရောက်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရကြောင်း သေချာစေရန်အတွက် သင့်လျော်သော တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုတို့သည် အရေးကြီးပါသည်။ ပုံမှန်ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်းနှင့် ပြဿနာဖြေရှင်းခြင်းတို့သည် ကုန်ကျစရိတ်ကြီးသော စက်ရပ်ချိန်နှင့် ပြုပြင်စရိတ်စကများကို တားဆီးကာကွယ်ပေးနိုင်သည်။

ယေဘုယျအားဖြင့်၊ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ရွေးချယ်မှုသည် တိကျသောအသုံးချပရိုဂရမ်များ၊ စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များနှင့် ဘတ်ဂျက်ထည့်သွင်းစဉ်းစားမှုများအပါအဝင် အချက်များစွာပေါ်တွင် မူတည်မည်ဖြစ်သည်။ အပလီကေးရှင်းနှင့် သင့်လျော်သော ထရန်စစ္စတာကို ရွေးချယ်ရန်နှင့် ရွေးချယ်မှုနှင့် တပ်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်လျှောက် လမ်းညွှန်မှုနှင့် ပံ့ပိုးမှုပေးနိုင်သော ဂုဏ်သိက္ခာရှိသော ပေးသွင်းသူနှင့် လုပ်ဆောင်ရန် အရေးကြီးသည်။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ ဘုံဝေါဟာရများကား အဘယ်နည်း။
ဤသည်မှာ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများနှင့် သက်ဆိုင်သည့် အသုံးများသော အသုံးအနှုန်းအချို့ဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့ကို ဆိုလိုသည့် ရှင်းလင်းချက်နှင့်အတူ၊

1. Collector-Emitter Voltage (Vce): Vce သည် စွမ်းအားမြင့် RF transistor ၏ စုဆောင်းသူနှင့် ထုတ်လွှတ်သည့် terminals များတစ်လျှောက် သက်ရောက်နိုင်သော အမြင့်ဆုံးဗို့အားကို ရည်ညွှန်းသည်။ ဤဗို့အားကို ကျော်လွန်ပါက ထရန်စစ္စတာ ပျက်သွားနိုင်သည်။

2. စုဆောင်းသူလက်ရှိ (Ic): Ic သည် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ စုဆောင်းရေးဂိတ်မှတဆင့် လုပ်ဆောင်နိုင်သော အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ ဤလျှပ်စီးကြောင်းကို ကျော်လွန်နေပါက ထရန်စစ္စတာ ပျက်သွားနိုင်သည်။

3. အများဆုံးပါဝါ Dissipation (Pd): Pd သည် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာတစ်ခု၏ လည်ပတ်အပူချိန်ထက် မကျော်လွန်ဘဲ အပူအဖြစ် ပျံ့လွင့်နိုင်သည့် အမြင့်ဆုံးပါဝါပမာဏကို ရည်ညွှန်းသည်။ ဤတန်ဖိုးထက်ကျော်လွန်ပါက ထရန်စစ္စတာအား အပူလွန်ကဲစေပြီး ပျက်ကွက်စေနိုင်သည်။

4. Operating Frequency (f): လည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်းသည် မြင့်မားသောပါဝါ RF ထရန်စစ္စတာသည် ၎င်း၏သတ်မှတ်ထားသော စွမ်းဆောင်ရည်အဆင့်တွင် လည်ပတ်နိုင်သည့် ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးကို ရည်ညွှန်းသည်။

5. Transistor Gain (hFE သို့မဟုတ် Beta): Transistor gain သည် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ ချဲ့ထွင်မှုအချက်ကို ရည်ညွှန်းသည်၊ သို့မဟုတ် output current ၏ အချိုးသည် input current သို့ ရည်ညွှန်းသည်။

6. အထွက်ပါဝါ (Pout): အထွက်ပါဝါ ဆိုသည်မှာ သတ်မှတ်ထားသော အမြင့်ဆုံး အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များထက် မကျော်လွန်ဘဲ ဝန်အား မြင့်မားသော RF ထရန်စစ္စတာမှ ပေးပို့နိုင်သည့် အမြင့်ဆုံးပါဝါကို ရည်ညွှန်းသည်။

၄ ။ Efficiency သည် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာတစ်ခုတွင် အ၀င်ပါဝါနှင့် အထွက်ပါဝါအချိုးကို ရည်ညွှန်းသည်။ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော ထရန်စစ္စတာများသည် RF အသံချဲ့စက်များတွင် အပူအဖြစ် ပါဝါလျော့နည်းပြီး မလိုလားအပ်သော ဆူညံသံများကို ထုတ်ပေးသောကြောင့် နှစ်သက်ဖွယ်ကောင်းပါသည်။

8. Impedance ကိုက်ညီမှု- Impedance matching ဆိုသည်မှာ transistor circuit ၏ input နှင့် output impedance သည် load ၏ impedance ( အများအားဖြင့် antenna ) နှင့် ကိုက်ညီကြောင်း သေချာစေရန် လုပ်ဆောင်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။ သင့်လျော်သော impedance matching သည် transistor နှင့် load အကြား ပါဝါလွှဲပြောင်းမှုကို အမြင့်ဆုံးဖြစ်စေသည်။

9. အပူခံနိုင်ရည် (Rth): Thermal resistance သည် မြင့်မားသော စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ ၏ စွမ်းရည်ကို ရည်ညွှန်းသည်။ နိမ့်သောအပူခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးများသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သောအပူရှိန်ပျံ့နှံ့မှုနှင့် အအေးခံနိုင်မှုပိုမိုမြင့်မားသည်ကိုဖော်ပြသည်၊ ၎င်းသည် စက်ပစ္စည်းအပူလွန်ကဲခြင်းမှကာကွယ်ရန်အရေးကြီးပါသည်။

10. Resonant Frequency (f0): Resonant frequency သည် စွမ်းအားမြင့် RF transistor ၏ circuit တွင် ပဲ့တင်ထပ်ပြီး အမြင့်ဆုံး ရရှိသည့် ကြိမ်နှုန်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ ထရန်စစ္စတာ၏ ပဲ့တင်ထပ်သော ကြိမ်နှုန်းနှင့် ချဲ့ထွင်ထားသည့် အချက်ပြကြိမ်နှုန်းနှင့် ကိုက်ညီခြင်းသည် ၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို အမြင့်ဆုံးဖြစ်စေသည်။

ဤအသုံးအနှုန်းများကို နားလည်ခြင်းသည် တိကျသောအပလီကေးရှင်းတစ်ခုအတွက် မှန်ကန်သောစွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို ရွေးချယ်ခြင်းအပြင် သင့်လျော်သောတပ်ဆင်မှု၊ လည်ပတ်မှုနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုတို့ကို သေချာစေရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ အရေးကြီးဆုံးသတ်မှတ်ချက်များသည် အဘယ်နည်း။
စွမ်းအားမြင့် RF transistor ၏ အရေးကြီးဆုံး ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် RF သတ်မှတ်ချက်များ ပါဝင်သည်။

1. ပါဝါအထွက်- ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာသည် ၎င်း၏အမြင့်ဆုံး အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များထက် မကျော်လွန်ဘဲ ဝန်ထံ ပေးပို့နိုင်သည့် အမြင့်ဆုံးပါဝါဖြစ်သည်။

2. Operating Frequency Range- ၎င်းသည် transistor သည် သတ်မှတ်ထားသော စွမ်းဆောင်ရည်အဆင့်တွင် လုပ်ဆောင်နိုင်သည့် ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးကို ရည်ညွှန်းသည်။

3. Collector-Emitter Voltage- ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာ၏ စုဆောင်းသူနှင့် ထုတ်လွှတ်သည့် တာမီနယ်များကို ပျက်ကွက်စေခြင်းမရှိဘဲ အသုံးချနိုင်သော အမြင့်ဆုံးဗို့အားဖြစ်သည်။

4. အများဆုံး လက်ရှိ- ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာသည် ပျက်ကွက်ခြင်းမရှိဘဲ စုဆောင်းသူဂိတ်မှတဆင့် လုပ်ဆောင်နိုင်သည့် အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်းဖြစ်သည်။

၄ ။ ဤသည်မှာ အထွက်ပါဝါနှင့် အဝင်ပါဝါ၏ အချိုးဖြစ်ပြီး ထရန်စစ္စတာသည် အသုံးဝင်သော အထွက်ပါဝါအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲနိုင်သည့် input power မည်မျှရှိသည်ကို ညွှန်ပြသည်။

6. အမြတ်- ၎င်းသည် transistor ၏ ချဲ့ထွင်မှုအချက်ဖြစ်ပြီး transistor မှ input signal မည်မျှချဲ့သည်ကို ဖော်ပြသည်။

7. အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်- ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာ၏ အမြင့်ဆုံးလည်ပတ်မှုအပူချိန်ထက် မကျော်လွန်ဘဲ အပူကို စုပ်ယူနိုင်စွမ်းရှိသည်။ နိမ့်သောအပူခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးများသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သောအပူကို ပျံ့နှံ့စေပြီး အအေးခံနိုင်မှုပိုမိုမြင့်မားသည်ကို ဖော်ပြသည်။

8. Mounting အမျိုးအစား- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို ဖောက်-အပေါက် သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင်တပ်ဆင်နည်းပညာကဲ့သို့သော နည်းလမ်းအမျိုးမျိုးဖြင့် တပ်ဆင်နိုင်သည်။

9. Package အမျိုးအစား- ၎င်းသည် အရွယ်အစား၊ ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ပစ္စည်းအမျိုးမျိုးကွဲပြားနိုင်သည့် ထရန်စစ္စတာ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအထုပ် သို့မဟုတ် အိမ်ရာကို ရည်ညွှန်းသည်။

10. RF ကိုက်ညီမှု- ၎င်းသည် transistor ၏ input နှင့် output impedance ကို ပါဝါလွှဲပြောင်းပေးပြီး ဆူညံသံများကို လျှော့ချရန် ကူညီပေးသည့် load နှင့် ကိုက်ညီသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။

ဤရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် RF သတ်မှတ်ချက်များကို နားလည်ခြင်းသည် တိကျသောအပလီကေးရှင်းတစ်ခုအတွက် မှန်ကန်သောစွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို ရွေးချယ်ရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။ Transistor ကိုရွေးချယ်သောအခါ လိုအပ်သော output power၊ operating frequency နှင့် efficiency ကဲ့သို့သော application ၏ သဘောသဘာဝကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် အရေးကြီးပါသည်။ သင့်လျော်သောအပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် impedance ကိုက်ညီမှုတို့သည် မှန်ကန်သောလည်ပတ်မှုကိုသေချာစေရန်နှင့် transistor ကိုပျက်စီးခြင်းမှရှောင်ရှားရန်အတွက်လည်းအရေးကြီးပါသည်။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများသည် မတူညီသော အပလီကေးရှင်းများတွင် ကွဲပြားပါသလား။
ကွဲပြားသော ထုတ်လွှင့်မှုထုတ်လွှင့်စက်များတွင် အသုံးပြုသည့် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများ (ဥပမာ၊ UHF၊ VHF၊ TV၊ AM၊ FM စသည်ဖြင့်) တွင် မတူညီသော လက္ခဏာများ ရှိပြီး transmitter ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များအပေါ် မူတည်၍ ကွဲပြားစွာ အသုံးပြုကြသည်။ ဤတွင် အမျိုးမျိုးသော အသံလွှင့်ထုတ်လွှင့်စက်များတွင် အသုံးပြုသည့် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများအကြား ကွာခြားချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
 
UHF Transmitters-
 
၂ ။ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်၊ ပါဝါထွက်ရှိမှုနှင့်လည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်း။
2. အားနည်းချက်များ- ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားပြီး ပါဝါသုံးစွဲမှုမြင့်မားခြင်းကြောင့် အထူးဂရုစိုက်ရန်နှင့် အအေးခံရန် လိုအပ်ပါသည်။
3 ။ လျှောက်လွှာများ: ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားပြီး ပါဝါအထွက်မြင့်ရန် လိုအပ်သော တီဗီထုတ်လွှင့်ခြင်းနှင့် အခြားအပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုသည်။
၄ ။ မြင့်မားသောတည်ငြိမ်မှုနှင့် linearity ကောင်း။
ဖွဲ့စည်းပုံများ- ပုံမှန်အားဖြင့် MOSFET သို့မဟုတ် LDMOS နည်းပညာကို အသုံးပြုသည်။
5. အကြိမ်ရေ- UHF ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး (300MHz - 3GHz)။
6. တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်း- မြင့်မားသော output power ကြောင့် တိကျသော တပ်ဆင်မှုနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု လိုအပ်ပါသည်။
 
VHF Transmitters-
 
၂ ။ မြင့်မားသောအထွက်ပါဝါ၊ ထိရောက်မှုနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု။
2. အားနည်းချက်များ- နည်းပညာရှုပ်ထွေးမှုကြောင့် ငွေကုန်ကြေးကျများနိုင်သည်။
3 ။ လျှောက်လွှာများ: FM ရေဒီယိုနှင့် အခြားသော VHF ရုပ်သံလွှင့်အက်ပ်လီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။
၄ ။ မြင့်မားသော linearity၊ တည်ငြိမ်သောအထွက်ပါဝါ။
5. ဖွဲ့စည်းပုံများ- MOSFET များကို လည်း အသုံးပြု နိုင် သော်လည်း စိတ်ကြွ နည်းပညာ (BJT) ကို အသုံးများ သည် ။
6. အကြိမ်ရေ- VHF ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး (30 - 300MHz)။
7. တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်း- အထွက်ပါဝါတည်ငြိမ်မှုရှိစေရန် ပုံမှန်ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု လိုအပ်ပါသည်။
 
TV Transmitters-
 
၂ ။ မြင့်မားသော output ပါဝါ၊ bandwidth နှင့်ထိရောက်မှု။
အားနည်းချက်များ- မြင့်မားသော ကနဦးကုန်ကျစရိတ်နှင့် ရှုပ်ထွေးသောဒီဇိုင်း။
2 ။ လျှောက်လွှာများ: တီဗီထုတ်လွှင့်ခြင်း၊ မိုဘိုင်းတီဗီနှင့် အခြားဗီဒီယို/အသံထုတ်လွှင့်ခြင်းအက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် စံပြဖြစ်သည်။
၄ ။ အလွန်ကောင်းမွန်သော linearity နှင့်တည်ငြိမ်မှု။
4. ဖွဲ့စည်းပုံများ- LDMOS နည်းပညာကို အသုံးပြုသည့် နောက်ဆုံးအဆင့် စွမ်းအားမြင့် အသံချဲ့စက် အဆင့်နောက်တွင် များစွာသော RF ဒရိုက်ဘာ အဆင့်များကို အသုံးပြုပါ။
5. အကြိမ်ရေ- UHF သို့မဟုတ် VHF လိုင်းများတွင် အများအားဖြင့် ထုတ်လွှင့်မှုစံနှုန်း (DTV၊ analog စသည်ဖြင့်) ပေါ်မူတည်၍ အမျိုးမျိုးသော လှိုင်းနှုန်းစဉ်များကို အသုံးပြုပါသည်။
6. တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်း- အထွက်ပါဝါမြင့်မားခြင်းနှင့် ရှုပ်ထွေးသော ဆားကစ်ဒီဇိုင်းကြောင့် တိကျစွာတပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု လိုအပ်ပါသည်။
 
AM Transmitters-
 
၂ ။ ရှုပ်ထွေးမှု နည်းပါးခြင်း၊ ကုန်ကျစရိတ် သက်သာခြင်း၊ ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှု အကွာအဝေး။
2. အားနည်းချက်များ- အခြားသော အသံလွှင့်ထုတ်လွှင့်သူများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပါဝါနည်းပါးသည်။
3 ။ လျှောက်လွှာများ: AM ရေဒီယိုနှင့် အခြား ပါဝါနိမ့်သော ဆက်သွယ်မှု အက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် စံပြဖြစ်သည်။
၄ ။ Bandwidth ကောင်းမွန်သော်လည်း အခြားထုတ်လွှင့်ထုတ်လွှင့်မှုစနစ်များထက် အထွက်ပါဝါ နည်းပါးသည်။
5. ဖွဲ့စည်းပုံများ- ပုံမှန်အားဖြင့် စွမ်းအားမြင့် bipolar transistors (BJT) သို့မဟုတ် FETs ကို အသုံးပြုသည်။
6. အကြိမ်ရေ- AM ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး (530kHz - 1.6MHz)။
7. တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်း- ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု လိုအပ်ချက်နည်းပါးသော ရိုးရှင်းသော တပ်ဆင်မှု။
 
FM အသံလွှင့်စက်များ-
 
၂ ။ မြင့်မားသော bandwidth၊ ဂီယာထိရောက်မှုနှင့်တည်ငြိမ်မှု။
2. အားနည်းချက်များ- ငွေကုန်ကြေးကျများနိုင်သည်။
3 ။ လျှောက်လွှာများ: FM ရေဒီယိုနှင့် အခြားသော အရည်အသွေးမြင့် အသံထုတ်လွှင့်ခြင်းအက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် စံပြဖြစ်သည်။
၄ ။ မြင့်မားသောပါဝါ output နှင့်တည်ငြိမ်သောကြိမ်နှုန်း။
5. ဖွဲ့စည်းပုံများ- အများအားဖြင့် စွမ်းအားမြင့် LDMOS ထရန်စစ္စတာများကို အသုံးပြုကြသည်။
6. အကြိမ်ရေ- FM လှိုင်းနှုန်းအကွာအဝေး (88 -108MHz)။
7. တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်း- အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် တိကျသောတပ်ဆင်မှုနှင့် ပုံမှန်ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု လိုအပ်ပါသည်။
 
ယေဘုယျအားဖြင့်၊ မတူညီသော အသံလွှင့်ထုတ်လွှင့်ခြင်းများတွင် အသုံးပြုသည့် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများသည် မတူညီသော အပလီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်သော ကွဲပြားသော လက္ခဏာများရှိသည်။ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ ရွေးချယ်မှုသည် လိုအပ်သော ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး၊ ပါဝါထွက်ရှိမှု၊ ထိရောက်မှု၊ လှိုင်းနှုန်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ် စသည့်အချက်များပေါ်တွင် မူတည်သည်။ အစိတ်အပိုင်းများ၏ အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် တာရှည်ခံမှုတို့ကို သေချာစေရန်အတွက် ပါဝါမြင့်မားသော RF ထရန်စစ္စတာများကို အသုံးပြုသည့် transmitter များအားလုံးအတွက် သင့်လျော်သော တပ်ဆင်မှု၊ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနှင့် ပြုပြင်မှုသည် အရေးကြီးကြောင်း သတိပြုရန် အရေးကြီးပါသည်။
ထုတ်လွှင့်မှုအတွက် အကောင်းဆုံး စွမ်းအားမြင့် RF transistor ကို ဘယ်လိုရွေးချယ်မလဲ။
ရုပ်သံလွှင့်ဌာနအတွက် အကောင်းဆုံးစွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို ရွေးချယ်ခြင်းသည် ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး၊ ပါဝါထွက်ရှိမှု၊ ထိရောက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်တို့ကဲ့သို့သော အချက်များစွာပေါ်တွင် မူတည်သည်။ ဤသည်မှာ ရုပ်သံလွှင့်ဌာနအမျိုးမျိုးအတွက် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို ရွေးချယ်သည့်အခါ ထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည့် သတ်မှတ်ချက်များနှင့် အမျိုးအစားများစာရင်းဖြစ်သည်-

1. UHF အသံလွှင့်ဌာန- UHF ရုပ်သံလွှင့်ဌာနများအတွက်၊ အကောင်းဆုံး စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာသည် UHF ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး (300 MHz မှ 3 GHz) အတွင်း လုပ်ဆောင်နိုင်သည့် ပါဝါမြင့်မားပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသည်။ ပုံမှန်အားဖြင့်၊ ၎င်း၏ မြင့်မားသော ပါဝါထွက်ရှိမှု၊ မျဉ်းသားမှုနှင့် ထိရောက်မှုတို့ကြောင့် UHF ဘူတာများတွင် ဘေးတိုက်-ပျံ့နှံ့နေသော MOSFET (LDMOS) ထရန်စစ္စတာကို အသုံးပြုသည်။

2. VHF အသံလွှင့်ဌာန- VHF ရုပ်သံလွှင့်ဌာနများအတွက်၊ အကောင်းဆုံး စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာသည် VHF ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး (30 MHz မှ 300 MHz) တွင် လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး မြင့်မားသော အထွက်ပါဝါနှင့် ထိရောက်မှုရှိသည်။ Bipolar junction transistor (BJT) နည်းပညာကို ၎င်း၏ မြင့်မားသော output power နှင့် efficiency ကြောင့် VHF station များအတွက် ပုံမှန်အားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။

3. FM ရေဒီယိုစခန်း- FM ရေဒီယိုအသံလွှင့်ဌာနများအတွက်၊ အကောင်းဆုံးစွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာသည် FM ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး (88 MHz မှ 108 MHz) တွင် လည်ပတ်နိုင်ပြီး မြင့်မားသော linearity နှင့် ထိရောက်မှုရှိသည်။ LDMOS နည်းပညာကို ၎င်း၏ မြင့်မားသော linearity နှင့် ထိရောက်မှုတို့ကြောင့် FM station များအတွက် အသုံးများသည်။

4. တီဗွီအသံလွှင့်ဌာန- တီဗီထုတ်လွှင့်သည့်ဌာနများအတွက်၊ အကောင်းဆုံးစွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာသည် တီဗီထုတ်လွှင့်မှုစံနှုန်းဖြင့်အသုံးပြုသည့် လှိုင်းနှုန်းစဉ်တွင် လုပ်ဆောင်သည့်တစ်ခုဖြစ်ပြီး မြင့်မားသောအထွက်ပါဝါနှင့် ထိရောက်မှုရှိသည်။ LDMOS နည်းပညာကို ၎င်း၏ မြင့်မားသော linearity နှင့် ထိရောက်မှုတို့ကြောင့် TV broadcasting transmitter များတွင် အသုံးများသည်။

5. နံနက် အသံလွှင့်ဌာန- AM ရုပ်သံလွှင့်ဌာနများအတွက်၊ အကောင်းဆုံး စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာသည် AM ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး (530 kHz မှ 1.6 MHz) အတွင်း လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး ပါဝါအထွက်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည် မြင့်မားသည်။ ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားမှုကြောင့် BJT သို့မဟုတ် FET နည်းပညာကို AM ဘူတာများတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

အသံလွှင့်ဌာနတစ်ခုစီအတွက် သင့်လျော်သော စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို ရွေးချယ်သည့်အခါ ကုန်ကျစရိတ်၊ ရရှိနိုင်မှုနှင့် ရောင်းချသူ ပံ့ပိုးမှုကဲ့သို့သော အခြားအချက်များကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် အရေးကြီးပါသည်။ သီးခြားအသံလွှင့်ဌာနအတွက် ပါဝါမြင့်သော RF ထရန်စစ္စတာ၏ အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုသေချာစေရန် အရည်အချင်းပြည့်မီသော RF အင်ဂျင်နီယာ သို့မဟုတ် အတိုင်ပင်ခံနှင့် တိုင်ပင်ရန်လည်း အကြံပြုထားသည်။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို ဘယ်လိုဖန်တီးပြီး တပ်ဆင်သလဲ။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ လုပ်ငန်းစဉ်အပြည့်အစုံတွင် ထုတ်လုပ်မှုမှ အသံလွှင့်ဌာနတစ်ခုတွင် တပ်ဆင်ခြင်းအထိ ထုတ်လုပ်မှု၊ စမ်းသပ်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် ဖြန့်ဖြူးခြင်းအပါအဝင် အဆင့်များစွာ ပါဝင်ပါသည်။ ဤအဆင့်တစ်ခုစီ၏ အသေးစိတ်ရှင်းလင်းချက်ကို ဤတွင်ဖော်ပြထားသည်-

1. Fabrication- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ ထုတ်လုပ်ခြင်း၏ ပထမအဆင့်တွင် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ အလွှာလိုက်ခြင်းဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်အမျိုးမျိုးကို အသုံးပြု၍ ထရန်စစ္စတာကို ဖန်တီးခြင်း ပါဝင်သည်။ ဖန်တီးထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အခန်းသန့်ရှင်းရေးလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ၊ ပုံသဏ္ဍာန်ပုံသဏ္ဍာန်၊ ထွင်းထုခြင်း၊ ထုတ်ယူခြင်းနှင့် ထရန်စစ္စတာများ၏ဖွဲ့စည်းပုံကို တည်ဆောက်သည့် အခြားလုပ်ငန်းစဉ်များ ပေါင်းစပ်ပါဝင်ပါသည်။

၁၅ ။ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို ဖန်တီးပြီးသည်နှင့် ၎င်းအား အမြတ်၊ ပါဝါအထွက်နှင့် မျဉ်းသားခြင်းကဲ့သို့သော လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများအတွက် စမ်းသပ်မည်ဖြစ်သည်။ ကွန်ရက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသူများ၊ ရောင်စဉ်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသူများ၊ နှင့် oscilloscopes အပါအဝင် အထူးပြုစမ်းသပ်ကိရိယာများကို အသုံးပြု၍ စမ်းသပ်ခြင်းဖြစ်သည်။

၁။ ထုပ်ပိုးခြင်း - စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို စမ်းသပ်ပြီးနောက်၊ ၎င်းအား သင့်လျော်သော အိမ်ရာတစ်ခုအဖြစ် ထုပ်ပိုးထားသည်။ ပက်ကေ့ဂျ်သည် ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် တပ်ဆင်စဉ်အတွင်း ထရန်စစ္စတာအား ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးပြီး ကျန်ပတ်လမ်းများနှင့် ချိတ်ဆက်မှုအတွက် သင့်လျော်သော ပလပ်ဖောင်းတစ်ခုကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။ ထုပ်ပိုးမှုတွင် ဝိုင်ယာကြိုးချည်ခြင်း၊ ခဲများကို ချိတ်ဆက်ခြင်းနှင့် ထရန်စစ္စတာ၏ အပူရှိန်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အပူစုပ်ခွက်များ ပေါင်းထည့်ခြင်းတို့လည်း ပါဝင်သည်။

4. ဖြန့်ဝေခြင်း- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို ထုတ်လုပ်သူ၏ အရောင်းလမ်းကြောင်းများ သို့မဟုတ် တရားဝင် ဖြန့်ဖြူးသူများကွန်ရက်မှတဆင့် တိုက်ရိုက်ဖြန့်ဝေနိုင်သည်။ ထရန်စစ္စတာများကို ထုတ်လုပ်သူ၏ စိတ်ကြိုက်အပေါ်မူတည်၍ တစ်ဦးချင်းယူနစ်အဖြစ် သို့မဟုတ် အတွဲလိုက်ရောင်းချနိုင်သည်။

5 ။ installation: စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာအား ရုပ်သံလွှင့်ဌာနမှ ဝယ်ယူပြီး လက်ခံရရှိသည်နှင့်၊ ၎င်းကို transmitter ၏ circuitry တွင် ပေါင်းစပ်ထားသည်။ ထရန်စစ္စတာအား အပူအဆီ၊ အမဲပြားများ၊ သို့မဟုတ် အဆင့်ပြောင်းလဲသည့် ပစ္စည်းများ ကဲ့သို့သော အပူမျက်နှာပြင် ပစ္စည်းများ အပါအဝင် သင့်လျော်သော တပ်ဆင်မှုနည်းပညာများကို အသုံးပြု၍ တပ်ဆင်ထားသည်။ တပ်ဆင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် ထရန်စစ္စတာအား မှန်ကန်စွာ တပ်ဆင်ထားကြောင်း သေချာစေရန် တင်းကျပ်သော တပ်ဆင်မှုလမ်းညွှန်များ သို့မဟုတ် လုပ်ထုံးလုပ်နည်းများကို လိုက်နာပြီး ထရန်စစ္စတာ ပျက်စီးနိုင်ခြေကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေသည်။

6. စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် ထိန်းသိမ်းခြင်း- တပ်ဆင်ပြီးနောက်၊ ပါဝါမြင့်မားသော RF ထရန်စစ္စတာအား ကောင်းမွန်စွာလည်ပတ်ကြောင်း သေချာစေရန် ထပ်မံစမ်းသပ်သည်။ RF ထရန်စစ္စတာများသည် အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည် လက္ခဏာများ ဆုံးရှုံးနိုင်ပြီး အထွက်ပါဝါ လျော့ပါးလာပြီး ချို့ယွင်းမှု ဖြစ်နိုင်သောကြောင့် ရုပ်သံလွှင့်ဌာနသည် မှန်ကန်သော လည်ပတ်မှုကို စောင့်ကြည့်နေမည်ဖြစ်သည်။ ရေရှည်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုရှိစေရန်အတွက် ပုံမှန်ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုကို transmitter နှင့် ၎င်း၏အစိတ်အပိုင်းများပေါ်တွင် လုပ်ဆောင်ပါသည်။

ယေဘုယျအားဖြင့်၊ ထုတ်လုပ်မှုမှ နောက်ဆုံးတပ်ဆင်ခြင်းအထိ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ လုပ်ငန်းစဉ်အပြည့်အစုံတွင် အထူးပြုထုတ်လုပ်ခြင်း၊ စမ်းသပ်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် ဖြန့်ဖြူးခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များ ပေါင်းစပ်ပါဝင်ပါသည်။ တပ်ဆင်ပြီးသည်နှင့် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ရေရှည်လည်ပတ်မှုသေချာစေရန်အတွက် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနှင့် ဂရုတစိုက်စောင့်ကြည့်မှုများ လိုအပ်ပါသည်။
စွမ်းအားမြင့် RF Transistor ကို မှန်ကန်စွာ ဘယ်လိုထိန်းသိမ်းမလဲ။
အသံလွှင့်ဌာနတစ်ခုရှိ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများကို မှန်ကန်စွာ ထိန်းသိမ်းခြင်းသည် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ရေရှည်လည်ပတ်မှုကို သေချာစေရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။ ဤသည်မှာ အသံလွှင့်ဌာနတစ်ခုတွင် စွမ်းအားမြင့် RF transistor ကို မှန်ကန်စွာ ထိန်းသိမ်းရန် လိုက်နာရမည့် အဆင့်အချို့ဖြစ်သည်။

1. ထုတ်လုပ်သူ၏ လမ်းညွှန်ချက်များကို လိုက်နာပါ- ထုတ်လုပ်သူ၏ အကြံပြုထားသော ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများနှင့် အချိန်ဇယားကို အမြဲလိုက်နာပါ။ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုအချိန်ဇယားသည် ထုတ်လုပ်သူ၊ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားနှင့် အသံလွှင့်ဌာန၏ ပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေပေါ်မူတည်၍ ကွဲပြားနိုင်သည်။

2. လည်ပတ်မှုအခြေအနေများကို စောင့်ကြည့်ပါ- အပူချိန်၊ ဗို့အားနှင့် လက်ရှိအဆင့်များကဲ့သို့သော စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ လည်ပတ်မှုအခြေအနေများကို ပုံမှန်စောင့်ကြည့်ပါ။ ထရန်စစ္စတာအား ပျက်စီးမှုမှ ကာကွယ်ရန် အကြံပြုထားသော အတိုင်းအတာများအတွင်း လည်ပတ်မှုအခြေအနေများ ရှိနေကြောင်း သေချာပါစေ။

3. Transistor ကို သန့်ရှင်းအောင်ထားပါ။ ဖုန်မှုန့်များနှင့် အညစ်အကြေးများသည် စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် တက်လာနိုင်ပြီး ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အသက်ကို ထိခိုက်စေနိုင်သည်။ ပျော့ပျောင်းသောအ၀တ်စနှင့် အညစ်အကြေးမရှိသော သန့်စင်ဆေးရည်ဖြင့် အခါအားလျော်စွာ သန့်စင်ခြင်းဖြင့် ထရန်စစ္စတာ၏ သန့်ရှင်းမှုကို ထိန်းသိမ်းပါ။

4. သင့်လျော်သော အပူစီမံခန့်ခွဲမှုကို သေချာစေပါ- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများသည် လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း သိသိသာသာ အပူပမာဏကို ထုတ်ပေးပြီး ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိခိုက်စေနိုင်သည်။ အပူစုပ်ခွက်များနှင့် အအေးခံပန်ကာများကို အသုံးပြုခြင်းကဲ့သို့သော သင့်လျော်သောအပူစီမံခန့်ခွဲမှုသည် အပူကို ပြေပျောက်စေပြီး ထရန်စစ္စတာ၏ အပူချိန်ကန့်သတ်ချက်များအတွင်း လည်ပတ်ကြောင်း သေချာစေသည်။

5. ပုံမှန်စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် ချိန်ညှိခြင်း- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာများသည် ၎င်းတို့ မှန်ကန်စွာ အလုပ်လုပ်ကြောင်း သေချာစေရန် ပုံမှန်စစ်ဆေးမှု လိုအပ်ပါသည်။ အချိန်အခါအလိုက် စမ်းသပ်ခြင်းများသည် ပြင်းထန်သည့် ပြဿနာများ မဖြစ်ပွားမီ ဖြစ်နိုင်ခြေရှိသော ပြဿနာများကို ရှာဖွေဖော်ထုတ်နိုင်သည်။ transistor နှင့်ပတ်သက်သော transmitter ၏ circuitry ကိုချိန်ညှိခြင်းသည် transistor ၏စွမ်းဆောင်ရည်၊ output power နှင့် performance ကိုတိုးစေသည်။

6. Transmitter တစ်ခုလုံး၏ ပုံမှန်ထိန်းသိမ်းမှုကို သေချာစေပါ- စွမ်းအားမြင့် RF transistor များသည် transmitter ၏ အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သော်လည်း၊ transmitter တစ်ခုလုံးသည် ပုံမှန်ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု လိုအပ်ပါသည်။ အအေးခံခြင်းနှင့် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲခြင်းကဲ့သို့သော ပို့လွှတ်ကိရိယာ၊ ၎င်း၏ အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ပံ့ပိုးပေးသည့်စနစ်များသည် ပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ရန်နှင့် ထရန်စစ္စတာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန် မှန်ကန်ကြောင်း သေချာပါစေ။

ဤအဆင့်များကို လိုက်နာခြင်းဖြင့်၊ သင်သည် အသံလွှင့်ဌာနတစ်ခုတွင် စွမ်းအားမြင့် RF transistor ကို မှန်ကန်စွာ ထိန်းသိမ်းနိုင်ပြီး ၎င်း၏ သက်တမ်းရှည်ကြောင်း သေချာစေရန်နှင့် ၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်နိုင်ပါသည်။ ပုံမှန် နှင့် စေ့စေ့စပ်စပ် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်းသည် ထရန်စစ္စတာသည် အရည်အသွေးမြင့် ထုတ်လွှင့်မှု အချက်ပြမှုအား စိတ်ချယုံကြည်စွာနှင့် ထိရောက်စွာ ဆက်လက်လည်ပတ်နေစေရန် သေချာစေမည်ဖြစ်သည်။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို မှန်ကန်စွာ ပြုပြင်နည်း။
စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ အလုပ်မလုပ်ပါက၊ ၎င်းသည် မှန်ကန်စွာ ပြန်မလုပ်ဆောင်မီ ပြုပြင်ရန် လိုအပ်နိုင်သည်။ ဤသည်မှာ စွမ်းအားမြင့် RF transistor ကို ပြုပြင်ရန် အဆင့်များဖြစ်သည်။

1. ကျရှုံးရသည့်အကြောင်းရင်းကို ဖော်ထုတ်ပါ- ပထမဦးစွာ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာ ချို့ယွင်းခြင်း၏ အကြောင်းရင်းကို ဖော်ထုတ်ပါ။ ချို့ယွင်းချက်သည် မသင့်လျော်သော တပ်ဆင်မှု၊ ဗို့အားပိုလွန်မှု၊ လျှပ်စီးကြောင်းများလွန်းခြင်း၊ အပူလွန်ကဲခြင်း သို့မဟုတ် အခြားသော အကြောင်းအရင်းများစွာကြောင့် ဖြစ်နိုင်သည်။ မူလဇစ်မြစ်ကို ဖော်ထုတ်ခြင်းသည် Transistor ကို ပြုပြင်ရန် အရေးကြီးပါသည်။

2. ဒေတာစာရွက်ကို စစ်ဆေးပါ- လည်ပတ်မှုအခြေအနေများ၊ ပတ်ဝန်းကျင်လိုအပ်ချက်များနှင့် အခြားသတ်မှတ်ချက်များကို မှန်ကန်စွာ ပြည့်မီကြောင်း သေချာစေရန် ထုတ်လုပ်သူမှ ပေးထားသည့် ဒေတာစာရွက်ကို ကိုးကားပါ။

3. မှားယွင်းနေသော ထရန်စစ္စတာအား ဖယ်ရှားပါ- သင့်လျော်သော ESD ကြိုတင်ကာကွယ်မှုများ၊ ဘေးကင်းရေးနည်းလမ်းများနှင့် စက်ကိရိယာများကို အသုံးပြု၍ ဆားကစ်မှ မှားယွင်းနေသော ထရန်စစ္စတာအား ဖယ်ရှားပါ။ ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားနှင့် ထုပ်ပိုးမှုအပေါ်မူတည်၍ ဖယ်ရှားပစ်သည့်ကိရိယာ၊ အပူသေနတ် သို့မဟုတ် အခြားသင့်လျော်သောနည်းလမ်းများကို အသုံးပြုပါ။

4. ထရန်စစ္စတာ အစားထိုးခြင်း- စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာအား အစားထိုးအသုံးပြုနိုင်ပါက၊ ထရန်စစ္စတာအသစ်ကို အဟောင်းကဲ့သို့ အနေအထားတွင် ထည့်သွင်းပါ။ ထရန်စစ္စတာအား မှန်ကန်စွာ ဦးတည်ပြီး ချိန်ညှိထားကြောင်း သေချာပါစေ။

၁၅ ။ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို အစားထိုးပြီးနောက်၊ ကွန်ရက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသူ၊ spectrum ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသူ သို့မဟုတ် oscilloscope ကဲ့သို့သော သင့်လျော်သောကိရိယာများကို အသုံးပြု၍ ၎င်းကို စမ်းသပ်ပါ။ စမ်းသပ်ခြင်း Transistor သည် မှန်ကန်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး ပါဝါထွက်ရှိမှုနှင့် ထိရောက်မှုကဲ့သို့သော သတ်မှတ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီကြောင်း သေချာစေရန် ကူညီပေးပါသည်။

6. ပြန်လည်ချိန်ညှိခြင်း- Transmitter ၏ အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ကိုသေချာစေရန် အစားထိုးထရန်စစ္စတာအား ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ရန်နှင့် လျော်ကြေးပေးရန် ကျန်ရှိသော ထုတ်လွှင့်သူ၏ circuitry ကို ပြန်လည်ချိန်ညှိပါ။

အစားထိုး စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာကို မတပ်ဆင်မီ လိုအပ်သော သတ်မှတ်ချက်များနှင့် လည်ပတ်မှု အခြေအနေများနှင့် ကိုက်ညီကြောင်း သေချာစေရန် အရေးကြီးပါသည်။ ထို့အပြင်၊ စွမ်းအားမြင့် RF ထရန်စစ္စတာအား ပြုပြင်ရန် ကြိုးပမ်းရာတွင် သင့်လျော်သော လျှပ်စစ်မြေပြင်နှင့် စက်ပစ္စည်းများ ကိုင်တွယ်ခြင်းအပါအဝင် အကြံပြုထားသော ဘေးကင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်များကို လိုက်နာရန် အရေးကြီးပါသည်။ ချို့ယွင်းချက်၏ အကြောင်းရင်းကို ရှင်းရှင်းလင်းလင်း မသိပါက နောက်ထပ် အမှားအယွင်းများကို ကာကွယ်ရန် အရည်အချင်းပြည့်မီသော အင်ဂျင်နီယာ သို့မဟုတ် နည်းပညာရှင်နှင့် တိုင်ပင်ဆွေးနွေးရန် အကြံပြုလိုပါသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်

    အမေရိကန် CONTACT

    contact-email
    ဆက်သွယ်ရန် - လိုဂို

    FMUSER နိုင်ငံတကာအုပ်စု ကန့်သတ်။

    ကျွန်ုပ်တို့သည်ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များအားစိတ်ချရသောထုတ်ကုန်များနှင့်ထောက်ထားစာနာသော ၀ န်ဆောင်မှုများပေးပါသည်။

    သင်ကျွန်ုပ်တို့နှင့်တိုက်ရိုက်ဆက်သွယ်လိုပါက ကျေးဇူးပြု၍ သွားပါ ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ

    • Home

      ပင်မစာမျက်နှာ

    • Tel

      လျ

    • Email

      အီးမေးလ်လိပ်စာ

    • Contact

      ဆက်သွယ်ရန်

    ဘာသာစကား